Highspeed für Smartphones und Tablets: Intel stellt neue Speichergeneration vor

Pressebild: Speicherlösung von Intel und Micron TechnologyDie IT-Entwickler von Intel und Micron Technology haben eine neue Flashspeicher-Generation angekündigt: Der nach Angaben der beiden Unternehmen weltweit erste 20 Nanometer MLC NAND Flash schafft es auf 128 Gigabit und der erste monolitische NAND Flash Baustein kann sogar 1 Terabit Daten auf der Größe eines Fingernagels speichern. Die neuste Entwicklung bietet mit der High-Speed ONFI 3.0 Spezifikation Geschwindigkeiten bis zu 333 Megatransfers pro Sekunde (MT/s).

Mittels der Technologie könnten noch kosteneffizientere Solid-State Speicherlösungen für schlanke und schnittige Gerätedesigns, inklusive Tablets, Smartphones, sowie hochkapazitäre Solid-State-Drives (SSDs) geliefert werden, heißt es in einer Verlautbarung der beiden Unternehmen. Es sei der erste NAND weltweit, der eine innovative Zellenstruktur nutzt, und damit die Einschränkungen von Standard-Floating-Gate NAND überwinde.

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