Samsung Electronics hat heute die erfolgreiche Entwicklung eines 16-Gigabit (Gb) DDR5 DRAM bekanntgegeben. Der dynamische Arbeitsspeicher nutzt erstmals 12-Nanometer (nm)-Prozesstechnologie. Ziel soll es nach Angaben des Unternehmens sein, mit dem DRAM sowohl eine starke Performance, als auch eine hohe Energieeffizienz zu vereinen, die als Grundlage für einen nachhaltigeren Betrieb in Bereichen wie Next Generation Computing, Rechenzentren und KI-gesteuerten Systemen zum Tragen kommen soll.
Dazu arbeitet der Techkonzern mit dem Chiphersteller AMD zusammen. Verwendet werden soll ein neues High-κ-Materials, das die Zellkapazität erhöht. Hinzu komme laut Samsung eine proprietäre Designtechnologie, die kritische Stromkreis-Charakteristiken verbessern soll. In Kombination mit einer weiterentwickelten, mehrschichtigen ultravioletten (EUV)-Lithografie verfüge der neue DRAM über die gegenwärtig höchste Speicherchip (Die)-Dichte, mit der die Wafer-Produktivität um 20 Prozent gesteigert werden könnte, bewirbt Samsung die Entwicklung.
Die neuen Samsung DRAMs der 12-nm-Klasse nutzen den aktuellsten DDR5-Standard und sollen so Geschwindigkeiten von bis zu 7,2 Gigabit pro Sekunde (Gbps) erreichen. Dies entspricht der Verarbeitung von zwei 30 Gigabyte (GB) UHD-Filmen in nur einer Sekunde. Dabei sollen die DRAMs der 12-nm-Klasse bis zu 23 Prozent weniger Strom als die bisherigen Arbeitsspeicher verbrauchen.
Noch in diesem Jahr will Samsung mit der Massenproduktion beginnen. Geplant sei auch Zusammenarbeit mit Industriepartnern, um die rasante Expansion von Next Generation Computing zu unterstützen.
Foto: Pressefoto Samsung